CMOS晶体振荡器（XO2016）
所属分类:
• 外部尺寸: 2.0*1.6*0.75mm • 体积小，可靠性高 • 宽电源电压: 1.7-3.6V
宽温度范围
超小型化
超低抖动
高稳定性
超高频
产品详细信息
特点
• 外部尺寸: 2.0*1.6*0.75mm
• 体积小，可靠性高
• 宽电源电压: 1.7-3.6V
典型应用
• 广泛应用于工业通信、导航、雷达等领域
• AEC-Q100&AEC-Q200适用
尺寸
电性能参数
|
技术指标 |
3.3V |
2.5V |
1.8V |
Unit |
||||
|
Min |
Max |
Min |
Max |
Min |
Max |
|||
|
工作电压 (VDD) |
VDD-5% |
VDD+5% |
VDD-5% |
VDD+5% |
VDD-5% |
VDD+5% |
V |
|
|
输出频率 |
1 |
125 |
1 |
125 |
1 |
125 |
MHz |
|
|
输入电流 |
在15pF负载时 |
- |
25 |
- |
25 |
- |
20 |
mA |
|
无负载时，1MHz≤ fo<10MHz |
- |
1.0 |
- |
1.0 |
- |
0.75 |
mA |
|
|
无负载时，10MHz ≤ fo<20MHz |
- |
1.0 |
- |
1.0 |
- |
0.75 |
mA |
|
|
无负载时，20MHz ≤ fo<80MHz |
- |
1.3 |
- |
1.3 |
- |
1.0 |
mA |
|
|
无负载时，80MHz ≤ fo<125MHz |
- |
6 |
- |
6 |
- |
3 |
mA |
|
|
占空比 |
45 |
55 |
45 |
55 |
45 |
55 |
% |
|
|
输出电平 |
输出高电平 |
2.97 |
- |
2.25 |
- |
1.62 |
- |
V |
|
输出低电平 |
- |
0.33 |
- |
0.25 |
- |
0.18 |
||
|
过渡时间: 上升/下降时间 |
1.25MHz ≤ Fo<10MHz |
- |
4 |
- |
5 |
- |
6 |
nSec |
|
10MHz ≤ Fo<20MHz |
- |
4 |
- |
5 |
- |
6 |
nSec |
|
|
20MHz ≤ Fo<80MHz |
- |
4 |
- |
5 |
- |
6 |
nSec |
|
|
启动时间 |
- |
4 |
- |
5 |
- |
6 |
mSec |
|
|
三态 |
启用(高电平或者悬空) |
0.7VDD |
- |
0.7VDD |
- |
0.7VDD |
- |
V |
|
禁用(低电平或接地) |
- |
0.3VDD |
- |
0.3VDD |
- |
0.3VDD |
||
|
输出负载 |
15 |
15 |
15 |
pF |
||||
|
待机电流 |
- |
100 |
- |
100 |
- |
100 |
uA |
|
|
老化率 (@ 25 °C，第一年) |
- |
± 3 |
- |
± 3 |
- |
± 3 |
ppm |
|
|
存储温度 |
-55 |
125 |
-55 |
125 |
-55 |
125 |
℃ |
|
|
抖动 (峰峰值) |
- |
40 |
- |
40 |
- |
40 |
pSec |
|
|
相位抖动均方根 (12KHz ~ 20MHZ） |
- |
40 |
- |
40 |
- |
40 |
pSec |
|
频率稳定度vs.温度范围
|
温度 (℃) / ppm |
± 20 |
± 25 |
± 50 |
|
-10 ~ 60 |
⚪ |
⚪ |
⚪ |
|
-20 ~ 70 |
⚪ |
⚪ |
⚪ |
|
-40 ~ 85 |
▲ |
⚪ |
⚪ |
|
-40 ~ 125 |
❌ |
❌ |
⚪ |
⚪: 可提供 ▲: 有条件下提供 ❌: 不可提供
注意: 并非所有选项组合都可提供。其他规格可根据要求提供，规格如有更改，怒不另行通知。
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