SMD LVPECL/LVDS/HCSL晶体振荡器 (LV7050)
所属分类:
• 外形尺寸7.0*5.0*1.45mm • 体积小、可靠性高 • 低相位抖动:0.3 pS RMS@12kHz-20MHz • 工作温度范围宽: -40°~+125℃
宽温度范围
超小型化
超低抖动
高稳定性
超高频
产品详细信息
特征
• 外形尺寸7.0*5.0*1.45mm
• 体积小、可靠性高
• 低相位抖动:0.3 pS RMS@12kHz-20MHz
• 工作温度范围宽:40~+125℃
典型应用
• 可广泛应用于工业通讯、导航、雷达等领域
尺寸
电性能参数
|
技术指标 |
LVPECL |
LVDS |
Unit | |||||||
|
3.3V |
2.5V |
3.3V |
2.5V |
|||||||
|
Min |
Max |
Min |
Max |
Min |
Max |
Min |
Max |
|||
|
工作电压(VDD) |
VDD-5% |
VDD+5% |
VDD-5% |
VDD+5% |
VDD-5% |
VDD+5% |
VDD-5% |
VDD+5% |
V | |
|
输出频率 |
10 |
320 |
10 |
320 |
10 |
320 |
10 |
320 |
MHz | |
|
标称频率 |
77.76，106.25，125，155.52，156.25，187.5，212.5，312.5 |
|||||||||
|
输入电流 |
10MHz ≤ Fo<160MHz |
- |
75 |
- |
75 |
- |
50 |
- |
50 |
mA |
|
160MHz ≤ Fo<250MHz |
- |
100 |
- |
100 |
- |
50 |
- |
50 |
||
|
250MHz ≤ Fo<320MHz |
- |
100 |
- |
100 |
- |
65 |
- |
65 |
||
|
输出电平 |
启用(高电平或悬空) |
2.275 |
- |
1.475 |
- |
- |
1.6 |
- |
1.6 |
V |
|
禁用(低电平或接地) |
- |
1.68 |
- |
0.88 |
0.9 |
- |
0.9 |
- |
||
|
过渡时间: 上升/下降时间 |
- |
1 |
- |
1 |
- |
1 |
- |
1 |
nSec | |
|
启动时间 |
- |
10 |
- |
10 |
- |
10 |
- |
10 |
mSec | |
|
三态 |
启用 (高电压或浮动) |
2.31 |
- |
1.75 |
- |
2.31 |
- |
1.75 |
- |
V |
|
禁用 (低电压或GND) |
- |
0.99 |
- |
0.75 |
- |
0.99 |
- |
0.75 |
||
|
老化率 (@ 25 °C，第一年) |
- |
± 3 |
- |
± 3 |
- |
± 3 |
- |
± 3 |
ppm | |
|
存储温度 |
-55 |
125 |
-55 |
125 |
-55 |
125 |
-55 |
125 |
℃ | |
|
相位噪声@156.25 MHz |
100Hz |
-100 |
-100 |
-100 |
-100 |
dBc/Hz | ||||
|
1 kHz |
-130 |
-130 |
-130 |
-130 |
||||||
|
10 kHz |
-145 |
-145 |
-145 |
-145 |
||||||
|
相位抖动均方根 (Intergrated 12 KHz ~ 20MHz) |
Fo<80MHz |
- |
1 |
- |
1 |
- |
1 |
- |
1 |
pSec |
|
80MHz ≤ Fo<125MHz |
- |
0.5 |
- |
0.5 |
- |
0.5 |
- |
0.5 |
||
|
125MHz ≤ Fo<170MHz |
- |
0.3 |
- |
0.3 |
- |
0.3 |
- |
0.3 |
||
|
170MHz ≤ Fo<200MHz |
- |
0.5 |
- |
0.5 |
- |
0.5 |
- |
0.5 |
||
|
200MHz ≤ Fo |
- |
0.3 |
- |
0.3 |
- |
0.3 |
- |
0.3 |
||
|
技术指标 |
HCSL |
Unit |
||||
|
3.3V |
2.5V |
|||||
|
Min |
Max |
Min |
Max |
|||
|
工作电压 (VDD) |
VDD5% |
VDD+ 5% |
VDD-5% |
VDD+ 5% |
V |
|
|
输出频率 |
25 |
175 |
25 |
175 |
MHz |
|
|
标称频率 |
100 |
|||||
|
输入电流 |
25MHz ≤ Fo<175MHz |
- |
50 |
- |
50 |
mA |
|
输出电平 |
输出高电平 |
0.6 |
- |
0.58 |
- |
V |
|
输出低电平 |
- |
0.15 |
- |
0.15 |
||
|
转换时间: 上升/下降时间+ |
- |
0.5 |
- |
0.5 |
nSec |
|
|
启动时间 |
- |
10 |
- |
10 |
mSec |
|
|
三态 |
启用 (高电平或者悬空) |
0.7VDD |
- |
0.7VDD |
- |
V |
|
禁用 (低电压或接地) |
- |
0.3VDD |
- |
0.3VDD |
||
|
老化率 (@ 25 °C，第一年) |
- |
± 3 |
- |
± 3 |
ppm |
|
|
存储温度 |
- |
125 |
-55 |
125 |
℃ |
|
|
相位抖动均方根 (Intergrated 12 KHz ~ 20MHz) |
25MHz ≤ Fo<175MHz |
- |
0.5 |
- |
0.5 |
pSec |
标准频率是晶体设计的频率，并不表示存货状况。
+转接时间是在电源电压20%-80%变化范围内测量的
频率稳定度vs.温度范围
|
温度 (℃) / ppm |
± 25 |
± 50 |
|
-10 ~ +60 |
⚪ |
⚪ |
|
-20 ~ +75 |
⚪ |
⚪ |
|
-40 ~ +85 |
▲ |
⚪ |
|
-40 ~ +125 |
❌ |
⚪ |
⚪: 可提供 ▲: 有条件下提供❌: 不可提供
* 包括25℃，工作温度范围,输入电压变化,负载变化,老化率《第一年),冲击和胞动条件下校准。
注意: 并非所有选项组合都可提供。其他规格可根据要求提供。
规格如有更改，恕不另行通知。
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